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GloFo有望在芯片工艺节点技术上首次领先英特尔

2017-12-19 18:05:01   来源:solidot   作者:段嘉祺_NT7312   浏览:988 评论(0
[摘要] 在半导体行业会议 IEDM 2017上,英特尔介绍了它的10纳米工艺节点技术,而 GloFo 介绍了它的7 纳米工艺节点技术。GloFo 的新技术是与 IBM 和三星联合开发的。英特尔的 10 纳米芯片投产时间已经多次延期,最新估计的时间是 2018 年下半年甚至 2019 年初。英特尔此前是每两年升级工艺节点技术,它是在 2014 年首次推

在半导体行业会议 IEDM 2017上,英特尔介绍了它的10纳米工艺节点技术,而 GloFo 介绍了它的7 纳米工艺节点技术。GloFo 的新技术是与 IBM 和三星联合开发的。英特尔的 10 纳米芯片投产时间已经多次延期,最新估计的时间是 2018 年下半年甚至 2019 年初。

英特尔此前是每两年升级工艺节点技术,它是在 2014 年首次推出 14 纳米芯片,10 纳米芯片原计划是在 2016 年投产,但由于技术相关的问题更新新一代工艺节点花费了芯片巨人超过 4 年的时间。相比之下 GloFo 预计在 2018 年下半年投产 7 纳米芯片。对于半导体行业来说,这将是英特尔的工艺领先优势首次消失。目前还很难判断英特尔的 10 纳米芯片与 GloFo 的 ?7 纳米芯片之间的性能优劣。GloFo 被认为更注重移动领域,但它的 7 纳米工艺节点技术有一个版本叫?LP (leading performance)?针对的是高性能计算。

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      文章关键词: 半导体 行业 会议 IEDM 2017

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